UVLED通常是指发射中心波长在400nm以下的LED，但当发射波长大于380nm时有时称为近紫外LED，而当发射波长短于300nm时称为深紫外LED。 由于短波光具有很高的杀菌作用，UVLED通常用于冰箱和家用电器的杀菌和除臭。
在产品方面，日亚化学工业推出了发射中心波长在365nm至385nm范围内的品种，nitride semiconductor列出了发射中心波长在355nm至375nm之间的品种。uv胶水固化
波长小于300nm的深紫外LED的开发也很活跃。2008年，物理化学研究所和松下电工宣布，使用基于GaN的半导体inalgan开发了一种深紫外LED，其中心波长为282nm，光输出为10mW。 对于较短波长的深紫外LED，NTT物理科学与技术学院采用aln材料来开发中心发射波长为210nm的深紫外LED。uvled固化
应用程序
编辑
UV LED（uv led）主要用于生物医学，防伪识别，净化（水，空气等），计算机数据存储和 军队。 随着技术的发展，新的应用将继续取代原来的技术和产品。UV LED具有广阔的市场应用前景。 例如，UV LED光疗仪是未来非常流行的医疗设备，但目前的技术仍处于增长期。
国产UV LED的发展状况
“十一五”国家863计划新材料技术重大专项“半导体照明工程”课题“深UV LED的制备及应用技术研究”经过不断研究，在高铝 集团在材料研究和设备应用方面取得了重大突破。
半导体深UV源在照明，消毒，医疗，印刷，生化测试，高密度信息存储和机密通信领域具有巨大的应用价值。 以algan材料为有效区域的深紫外LED的发光波长可以覆盖210-365nm的紫外波段，是实现该深波段紫外led器件的乘积的理想材料，具有优势 其他传统UV光源无法比拟的
在国家863计划的支持下，项目研究团队专注于基于mocvd的深紫外LED材料和器件的研究，重点在于解决表面裂纹的存在，晶体质量差，铝成分低和 无法实现短波长发光。 在结构材料设计等问题上，一些关键技术取得了突破，获得了晶体质量高，无裂纹的高铝成分材料。 在此基础上，受试者首次在国内成功制备了300nm以下的紫外led器件深，实现了设备的毫瓦功率输出，并开发了深UV杀菌模块，经测试杀菌率达到95%以上 。