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uvled工作原理
时间: 2021-01-10 11:43 浏览次数:
1. uvled发光机理 :PN结的端电压构成一定的势垒。 当 正向偏置电压时势垒 减小时,P和N区域中的多数载流子彼此扩散。 由于 电子迁移率 的迁移率远大于空穴的迁移率,因此大量电子将扩散到P区,从而在P区中注入少数载流子。 这些电子与价带中的空穴复合,并且在复合期间获得的能量以光能的形式释放。 这就是PN结发光的原理。 uvled光源 2, uvled发光效率 :通常称为组件的外部
1.uvled发光机理:PN结的端电压构成一定的势垒。 当正向偏置电压时势垒减小时,P和N区域中的多数载流子彼此扩散。 由于电子迁移率的迁移率远大于空穴的迁移率,因此大量电子将扩散到P区,从而在P区中注入少数载流子。 这些电子与价带中的空穴复合,并且在复合期间获得的能量以光能的形式释放。 这就是PN结发光的原理。uvled光源
2,uvled发光效率:通常称为组件的外部量子效率,是组件内部的量子效率与组件的提取效率的乘积。 所谓的模块内部量子效率实际上就是模块本身的电光转换效率,这主要与模块本身的特性(例如,模块材料的能带,缺陷和杂质)有关。),势垒晶体的组成和模块的结构。 组件的提取效率是指组件内部生成的光子数,可以在组件自身吸收,折射和反射之后实际在组件外部进行测量。 因此,与提取效率相关的因素包括成分材料本身的吸收,成分的几何结构,成分和包装材料的折射率差以及成分结构的散射特性。 组件内部量子效率与组件提取效率的乘积是整个组件的发光效果,即组件外部量子效率。 早期组件开发的重点是改善其内部量子效率。 主要方法是提高势垒晶体的质量,改变势垒晶体的结构,使电能不易转化为热量,间接提高了uvled的发光效率,从而获得了70%的发光效率。 左右理论内部量子效率,但这种内部量子效率几乎接近理论极限。 在这种情况下,仅通过增加模块内部量子效率就不可能增加模块的总光量。 因此,提高模块的提取效率已成为重要的研究课题。 当前的方法主要是:改变晶粒的外观tip结构,表面粗糙化技术。uv烤箱
3,uvled电气特性:电流控制装置,负载特性UI曲线类似于PN结,正向方向的很小变化导通电压会引起正向电流的较大变化(指数级),反向漏电流非常小,反向击穿电压。 在实际使用中,应该选择它。uvled正向电压随着温度的升高而变小,负温度系数uvled消耗功率,其中一部分被转换为光能,这是我们所需要的。 其余部分转化为热量,从而提高了结温。 散发的热量(功率)可以表示为。 紫外线灯
4.uvled光学特性uvled提供具有大半角的单色光。 由于半导体的能隙随温度的升高而减小,因此半导体发射的峰值波长随温度的升高而增加,即光谱红移,温度系数为+ 2?3A /。uvled发光亮度L和正向电流。 随着电流的增加,发光亮度也大约增加。 另外,发光亮度也与环境温度有关。 当环境温度高时,复合效率降低并且发光强度降低。5.uvled热学特性:小电流下LED温升不明显。 如果环境温度高,主波长uvled将发生红移,亮度会降低,并且光的均匀性和均匀性会降低。 尤其是,点矩阵和大型显示屏的温度上升对LED的可靠性和稳定性具有更大的影响。 因此散热设计非常重要。
6,uvled寿命uvled长时间工作会由于光衰减而导致老化,特别是对于高功率的uvled,光衰减的问题更加严重。 测量uvled的寿命时,仅将灯的损坏视为uvled寿命的终点是不够的。LED的寿命应由uvled的光衰减百分比(例如35%)指定,这更有意义。
7。 大功率uvled包装:主要考虑散热和发光。 关于散热,请使用铜基热衬,然后连接至铝基散热器。 芯片和散热片通过焊接连接。 这种散热方法效果更好,性价比更高。 在发光方面,采用倒装芯片技术,在底部和侧面增加反射面以反射浪费的光能,从而可以获得更多的消光光。
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