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UVLED结构
时间: 2021-01-03 09:26 浏览次数:
uvled (紫外线LED)由一个或多个 ingan量子阱 夹在较薄的 gan三明治结构 之间组成,形成的有效区域是包层。 通过将InN-GaN的相对比例更改为 ingan量子阱 ,可以将发射波长从紫光 更改为其他光。 algan 可以通过更改 aln比例 来制作 uvled 和 量子阱层 的包层,但是这些设备的效率和成熟度很差。 如果活性的 量子阱层 是GaN,则相反的是InGaN或 algan合金 , ,则器件发射的光谱范围为350
uvled(紫外线LED)由一个或多个ingan量子阱夹在较薄的gan三明治结构之间组成,形成的有效区域是包层。 通过将InN-GaN的相对比例更改为ingan量子阱,可以将发射波长从紫光
更改为其他光。algan可以通过更改aln比例来制作uvled量子阱层的包层,但是这些设备的效率和成熟度很差。 如果活性的量子阱层是GaN,则相反的是InGaN或algan合金
,则器件发射的光谱范围为350?370nm。
当LED泵上的蓝色ingan一个短的电子脉冲时,会产生紫外线。 含铝的氮化物,特别是alganalgainn可以制成短波长器件,并获得串联波长uvled。 波长高达
247nm的二极管已经商业化,基于氮化铝且可发出210nm紫外线辐射的LED已成功开发,并且在250?270nm波段的uvled也正在开发中。
III-v族金属氮化物基半导体非常适合制造紫外线辐射源。 以algainn为例,在室温下,随着各组分比例的变化,复合过程中电子和空穴的辐射能量为1.89?6.2eV。 如果LED
的有源层由GaN或algan组成,则其紫外线辐射效率非常低,因为电子和空穴之间的复合是非辐射复合。 如果在此层中掺杂少量金属In,则有源层的局部能级将发生变化。
这时,电子和空穴将发生辐射复合。 因此,当有源层中掺杂有金属铟时,在380nm处的辐射效率比未掺杂时高19倍。

UVLED结构

文章TAG标签:UVLED氮化铝AlGaNAlGaInNAlN比例量子阱层蓝色InGaNAlGaN合金InGaN量子阱GaN三明治结构V族金属氮化物基

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