uvled（紫外线LED）由一个或多个ingan量子阱夹在较薄的gan三明治结构之间组成，形成的有效区域是包层。 通过将InN-GaN的相对比例更改为ingan量子阱，可以将发射波长从紫光
更改为其他光。algan可以通过更改aln比例来制作uvled和量子阱层的包层，但是这些设备的效率和成熟度很差。 如果活性的量子阱层是GaN，则相反的是InGaN或algan合金，
，则器件发射的光谱范围为350?370nm。
当LED泵上的蓝色ingan一个短的电子脉冲时，会产生紫外线。 含铝的氮化物，特别是algan和algainn可以制成短波长器件，并获得串联波长uvled。 波长高达
247nm的二极管已经商业化，基于氮化铝且可发出210nm紫外线辐射的LED已成功开发，并且在250?270nm波段的uvled也正在开发中。
III-v族金属氮化物基半导体非常适合制造紫外线辐射源。 以algainn为例，在室温下，随着各组分比例的变化，复合过程中电子和空穴的辐射能量为1.89?6.2eV。 如果LED
的有源层由GaN或algan组成，则其紫外线辐射效率非常低，因为电子和空穴之间的复合是非辐射复合。 如果在此层中掺杂少量金属In，则有源层的局部能级将发生变化。
这时，电子和空穴将发生辐射复合。 因此，当有源层中掺杂有金属铟时，在380nm处的辐射效率比未掺杂时高19倍。