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UVLED结构 UVLED结构
uvled (紫外线LED)由一个或多个 ingan量子阱 夹在较薄的 gan三明治结构 之间组成,形成的有效区域是包层。 通过将InN-GaN的相对比例更改为 ingan量子阱 ,可以将发射波长从紫光 更改为其他光。 algan 可以通过更改 aln比例 来制作 uvled 和 量子阱层 的包层,但是这些设备的效率和成熟度很差。 如果活性的 量子阱层 是GaN,则相反的是InGaN或 algan合金 , ,则器件发射的光谱范围为350...
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