uvled （紫外线LED）由一个或多个 ingan量子阱 夹在较薄的 gan三明治结构 之间组成，形成的有效区域是包层。 通过将InN-GaN的相对比例更改为 ingan量子阱 ，可以将发射波长从紫光 更改为其他光。 algan 可以通过更改 aln比例 来制作 uvled 和 量子阱层 的包层，但是这些设备的效率和成熟度很差。 如果活性的 量子阱层 是GaN，则相反的是InGaN或 algan合金 ， ，则器件发射的光谱范围为350...